Produkt został dodany do zapytania.
Toshiba i SanDisk rozpoczynają produkcję układów scalonych 3D NAND flash 256Gbit
Nowa złożona architektura 3D zwiększa pojemność i wydajność.
Toshiba i SanDisk rozpoczęły produkcję 48-warstwowych układów 256Gbit 3D NAND flash, które zapewniają większą wytrzymałość zapisu/wykasowywania oraz szybszy zapis.
Firmy pilotują właśnie tworzenie układów BiCS FLASH w opcji 256Gb 3-bit-per-cell (X3). Układy produkowane są w najnowszej fabryce Yokkaichi znajdującej się w Japonii. Dostawy mają rozpocząć się na początku 2016 roku.
Wcześniej Toshiba ujawniła szczegóły pierwszych 48-warstwowych układów 3D V-NAND o pojemności 128Gb.
Nowe układy 256Gbit flash będą mogły być wykorzystywane w wielu obszarach takich jak konsumenckie dyski SSD, smartphony, tablety, karty pamięci, a także dyski SSD klasy enterprise stosowane w data center.
Toshiba wyprzedziła konkurencję w zakresie optymalizacji przeznaczonej do masowej produkcji od czasu ujawnienia w czerwcu 2007 roku prototypowej technologii BiCS FLASH.
Firma promuje przenoszenie w ramy BiCS FLASH poprzez poszerzanie portfolio produktów mających zaspokoić w przyszłości zapotrzebowanie rynku na pamięć flash.
Scott Nelson, wiceprezes Toshiba America Electronic Components w zakresie jednostek pamięci, powiedział: "Od pierwszego dnia strategia Toshiby opierała się rozszerzeniu technologii floating gate, charakteryzującej się najmniejszą na świecie matrycą 15nm 125Gb."
"Nasze ogłoszenie BiCS FLASH, pierwszej 48-warstowej technologii 3D ma ogromne znaczenie dla rynku, umożliwiając bezproblemową migrację do pamięci 3D flash. To nasza odpowiedź na rosnące zapotrzebowanie wynikające z nieustającego rozwoju technologii."